SiC MOSFET用于电机驱动的优势

在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的电机应用中，SiC仍然具有不可比拟的优势，他们是：

1. 低电感电机

低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率（50-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。

2. 高速电机

由于拥有高基波频率，这些电机也需要高开关频率。它们适用于高功率密度电动汽车、高极数电机、拥有高扭矩密度的高速电机以及兆瓦级高速电机等应用。同样，IGBT能够达到的最高开关频率受到限制，而通过使用宽禁带开关器件可能能够突破这些限制。例如燃料电池中的空压机。空压机最高转速超过15万rpm，空压机电机控制器的输出频率超过2500Hz，功率器件需要很高的开关频率（超过50kHz），因此SiC-MOSFET是这类应用的首选器件。

3. 恶劣工况

在电机控制逆变器中使用宽禁带器件有两个引人关注的益处。第一，它们产生的热量比硅器件少，降低了散热需求。第二，它们能承受更高工作温度——SiC：600°C，GaN：300°C，而硅芯片能承受的最高工作温度仅为200°C。虽然SiC产品目前存在一些与封装有关的问题，导致它们所适用的工作温度不能超过200°C，但专注于解决这些问题的研究正在进行中。因此，宽禁带器件更适合可能面临恶劣工况的电机应用，比如混合动力电动汽车（HEV）中的集成电机驱动器、海底和井下应用、空间应用等

传统的电机驱动中，往往使用IGBT作为开关器件。那么，SiC MOSFET相对于Si IGBT有哪些优势，使得它更适合电机驱动应用？

首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。