双运放电流源的基本操作

与 Si 相比，SiC 具有更高的单位面积原子表面密度，从而导致悬空 Si- 和 C- 键的密度更高；位于界面附近的栅氧化层中的缺陷可能出现在能隙中，并充当电子的陷阱[1]。

热生长氧化物的厚度很大程度上取决于晶面。

与 Si 器件相比（MV 而不是 kV），SiC 器件在阻断模式下工作在更高的漏极感应电场下，这需要采取措施限制栅极氧化物中的电场，以维持阻断阶段氧化物的可靠性 [2 ]。另请参见图 3：对于 TMOS，关键点是沟槽角，对于 DMOS，关键点是单元的中心。

由于势垒高度较小，与 Si 器件相比，SiC MOS 结构在给定电场下表现出更高的 Fowler-Nordheim 电流注入。因此，界面 SiC 侧的电场必须受到限制 [3,4]。

上述界面缺陷导致沟道迁移率非常低。因此，它们导致沟道对总导通电阻的贡献很大。因此，SiC 相对于硅的漂移区电阻非常低的优势由于高沟道贡献而被削弱。克服这一困境的一种观察到的方法是增加在导通状态下施加在氧化物上的电场，或者用于导通的更高的栅极源极（V GS）偏置或者相对薄的栅极氧化物。所施加的电场超过了硅基 MOSFET 器件中通常使用的值（4 至 5 MV/cm，而硅中为 3 MV/cm）。导通状态下氧化物中如此高的磁场可能会加速磨损，并限制筛选剩余的外在氧化物缺陷的能力[1]。