功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。之前我们讨论过功率MOSFET的雪崩效应，今天，我们将继续分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。

除了Ipk vs tav图之外，大多数功率MOSFET数据表还包含一个UIS能量额定值，通常列在最大值表中。这有点误导，因为很明显 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 MOSFET 理论上可以具有无限大的能量额定值，如果用无限小的电感器（tav接近零）和无限大的电感（tav接近无穷大）进行测量的话。功率 MOSFET 的 UIS 雪崩脉冲中消耗的能量随着tav的增加而增加。（见图8）。对于某些给定的 Tj(initial) 值，任何单个UIS雪崩额定值都可以作为位于Ipk vs tav SOA曲线上的任何Ipk、tav工作点。

选择一个工作点而不是另一个工作点作为数据表“最大”额定值的一些原因包括：选择工作点作为在生产线末端测试时用于筛选器件的相同工作点，或者出于营销或客户目的以指示某些所需的能量水平。将一个器件的UIS能力与另一个器件进行比较时，关键点是比较相同Tj(initial)温度下的Ipk vs tav绘图数据，而不是比较单个UIS额定值。